特許
J-GLOBAL ID：200903052775668259
窒化物系半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-037990
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135575
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、成長後の熱処理を不要として低廉化及び生産性の向上を図りつつ、p型伝導層の品質を向上させ、長寿命化と信頼性の向上を図る。【解決手段】 基板(11)上に、少なくともn型In<SB>x </SB>Al<SB>y </SB>Ga<SB>z </SB>B<SB>1-x-y-</SB><SB>z </SB>N<SB>m </SB>P<SB>n </SB>As<SB>1-m-n </SB>(0≦x、0≦y、0≦z、0≦x+y+z≦1、0<m、0≦n、0<m+n≦1を含む)層(14)と、p型In<SB>x </SB>Al<SB>y </SB>Ga<SB>z </SB>B<SB>1-</SB><SB>x-y-z </SB>N<SB>m </SB>P<SB>n </SB>As<SB>1-m-n </SB>(0≦x、0≦y、0≦z、0≦x+y+z≦1、0<m、0≦n、0<m+n≦1を含む)層(19)と、電極(22)との積層構造を備えた窒化物系半導体素子において、p型In<SB>x </SB>Al<SB>y </SB>Ga<SB>z </SB>B<SB>1-x-y-z </SB>N<SB>m </SB>P<SB>n </SB>As<SB>1-m-n </SB>層の表面酸素濃度が5×10<SP>18</SP>cm<SP>-3</SP>以下である窒化物系半導体素子及びその製造方法。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともn型In<SB>x </SB>Al<SB>y </SB>Ga<SB>z </SB>B<SB>1-x-y-z </SB>N<SB>m </SB>P<SB>n </SB>As<SB>1-m-n </SB>(0≦x、0≦y、0≦z、0≦x+y+z≦1、0<m、0≦n、0<m+n≦1を含む)層と、p型In<SB>x </SB>Al<SB>y </SB>Ga<SB>z </SB>B<SB>1-x-y-z </SB>N<SB>m </SB>P<SB>n </SB>As<SB>1-m-n </SB>(0≦x、0≦y、0≦z、0≦x+y+z≦1、0<m、0≦n、0<m+n≦1を含む)層と、電極との積層構造を備えた窒化物系半導体素子において、前記p型In<SB>x </SB>Al<SB>y </SB>Ga<SB>z </SB>B<SB>1-x-y-z </SB>N<SB>m </SB>P<SB>n </SB>As<SB>1-m-n </SB>層の表面酸素濃度は、5×10<SP>18</SP>cm<SP>-3</SP>以下であることを特徴とする窒化物系半導体素子。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 29/12
, H01L 33/00
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01L 29/14
