回路基板およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：波多野久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-124900
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315844
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】熱伝導率が高く優れた放熱性を有し、かつ高強度で組立時および使用時における割れの発生が少なく、さらに導体層の短絡・不良の発生が少ない回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】セラミックス結晶粒子と液相酸化物粒子とから成るセラミックス基板2に回路となる導体層3を一体に形成した回路基板1において、上記セラミックス基板2の熱伝導率が180W/m・K以上であり、かつセラミックス結晶粒子の平均粒径が10μm以下であることを特徴とする回路基板である。

請求項（抜粋）：

セラミックス結晶粒子と液相酸化物粒子とから成るセラミックス基板に回路となる導体層を一体に形成した回路基板において、上記セラミックス基板の熱伝導率が180W/m・K以上であり、かつセラミックス結晶粒子の平均粒径が10μm以下であることを特徴とする回路基板。

IPC (4件)：

H05K 1/03 610 , C04B 35/581 , H01L 23/15 , H05K 3/12 610

FI (4件)：

H05K 1/03 610 E , H05K 3/12 610 M , C04B 35/58 104 D , H01L 23/14 C

Fターム (18件)：

4G001BA09 , 4G001BA36 , 4G001BB01 , 4G001BB36 , 4G001BC13 , 4G001BC52 , 4G001BC54 , 4G001BD03 , 4G001BD14 , 4G001BE22 , 4G001BE32 , 5E343AA24 , 5E343BB39 , 5E343BB40 , 5E343BB72 , 5E343ER38 , 5E343ER39 , 5E343GG16

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平4-005881
特開平2-050972
窒化アルミニウム焼結体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-249558 出願人：徳山曹達株式会社

審査官引用 (5件)

特開平4-005881
特開平2-050972
窒化アルミニウム焼結体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-249558 出願人：徳山曹達株式会社

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