特許

J-GLOBAL ID：200903072294045470

半導体装置およびその製造方法

発明者： 鎌 田 善 己
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-168738
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335801
出願日： 2006年06月19日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：

【課題】結晶性が良好なエピタキシャル成長層を得ることを可能にする。【解決手段】結晶性を有する半導体層2と、半導体層上に設けられた第1絶縁膜4と、第1絶縁膜に設けられた、半導体層に通じる第1開口4aを介して第1絶縁膜上に形成された第1エピタキシャル成長層20と、第1エピタキシャル成長層上に設けられた第2絶縁膜22と、第2絶縁膜に設けられた、第1エピタキシャル成長層に通じる第2開口22aを介して第2絶縁膜上に形成された第2エピタキシャル成長層24と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

結晶性を有する半導体層と、 前記半導体層上に設けられた第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜に設けられた、前記半導体層に通じる第1開口を介して前記第1絶縁膜上に形成された第1エピタキシャル成長層と、 前記第1エピタキシャル成長層上に設けられた第2絶縁膜と、 前記第2絶縁膜に設けられた、前記第1エピタキシャル成長層に通じる第2開口を介して前記第2絶縁膜上に形成された第2エピタキシャル成長層と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

H01L21/20 ,  H01L27/12 L ,  H01L21/76 D ,  H01L21/76 L ,  H01L29/78 618A ,  H01L27/12 F

Fターム (58件)：

5F032AA01 ,  5F032AA34 ,  5F032AA82 ,  5F032BB01 ,  5F032CA05 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA07 ,  5F032DA12 ,  5F032DA13 ,  5F032DA16 ,  5F032DA22 ,  5F110AA23 ,  5F110AA26 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG26 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ13 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ11 ,  5F152LL10 ,  5F152LL13 ,  5F152LL18 ,  5F152LN03 ,  5F152LN18 ,  5F152LN32 ,  5F152LN34 ,  5F152LN35 ,  5F152MM04 ,  5F152MM19 ,  5F152NN03 ,  5F152NN15 ,  5F152NN27 ,  5F152NN29 ,  5F152NP04 ,  5F152NP13 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ17

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-185389   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-257212
  
• 特開平2-151019