半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-185389
公開番号（公開出願番号）：特開2006-012995
出願日： 2004年06月23日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

【課題】 SOI基板を用いてより高性能なMISFETを実現する。【解決手段】 SOI基板を用いた半導体装置であって、第1の絶縁膜11上に形成された第1の半導体層12と、第1の半導体層12の主面上の一部に第2の絶縁膜13を介して形成された、第1の半導体層12とは面方位が異なる第2の半導体層14と、第1の半導体層12の主面に形成された第1導電型のMISFETと、第2の半導体層14の主面に形成された第2導電型のMISFETとを備えた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の絶縁膜上に形成された第1の半導体層と、第1の半導体層の主面上の一部に第2の絶縁膜を介して形成された、第1の半導体層とは面方位が異なる第2の半導体層と、第1の半導体層の主面に形成された第1導電型のMISFETと、第2の半導体層の主面に形成された第2導電型のMISFETと、を具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/786 , H01L 27/08 , H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/76 , H01L 21/336 , H01L 21/762 , H01L 21/823 , H01L 27/088

FI (10件)：

H01L29/78 613A , H01L27/08 331E , H01L27/12 B , H01L27/12 F , H01L29/78 626C , H01L29/78 621 , H01L29/78 620 , H01L29/78 627D , H01L21/76 D , H01L27/08 102C

Fターム (38件)：

5F032AA01 , 5F032AA06 , 5F032AA09 , 5F032AC03 , 5F032BA06 , 5F032CA01 , 5F032CA05 , 5F032CA17 , 5F032DA12 , 5F032DA33 , 5F032DA71 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BD09 , 5F048BE02 , 5F048DA23 , 5F110AA01 , 5F110AA04 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD06 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110EE32 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG42 , 5F110QQ17

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-065911 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (7件)

特開平3-285351
特開平3-285351
特開平4-372166

全件表示

前のページに戻る