特許

J-GLOBAL ID：200903014169038186

半導体装置及びその製造方法

発明者： 鎌田 善己 ,  西山 彰
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-185389
公開番号（公開出願番号）：特開2006-012995
出願日： 2004年06月23日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

【課題】 SOI基板を用いてより高性能なMISFETを実現する。【解決手段】 SOI基板を用いた半導体装置であって、第1の絶縁膜11上に形成された第1の半導体層12と、第1の半導体層12の主面上の一部に第2の絶縁膜13を介して形成された、第1の半導体層12とは面方位が異なる第2の半導体層14と、第1の半導体層12の主面に形成された第1導電型のMISFETと、第2の半導体層14の主面に形成された第2導電型のMISFETとを備えた。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の絶縁膜上に形成された第1の半導体層と、 第1の半導体層の主面上の一部に第2の絶縁膜を介して形成された、第1の半導体層とは面方位が異なる第2の半導体層と、 第1の半導体層の主面に形成された第1導電型のMISFETと、 第2の半導体層の主面に形成された第2導電型のMISFETと、 を具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/08 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088

FI (10件)：

H01L29/78 613A ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/12 B ,  H01L27/12 F ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 621 ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 627D ,  H01L21/76 D ,  H01L27/08 102C

Fターム (38件)：

5F032AA01 ,  5F032AA06 ,  5F032AA09 ,  5F032AC03 ,  5F032BA06 ,  5F032CA01 ,  5F032CA05 ,  5F032CA17 ,  5F032DA12 ,  5F032DA33 ,  5F032DA71 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BD09 ,  5F048BE02 ,  5F048DA23 ,  5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE32 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG42 ,  5F110QQ17

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-065911   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 特開平3-285351
  
• 特開平4-372166
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-065911   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-283397   出願人：株式会社東芝