特許

J-GLOBAL ID：200903072341102126

半導体集積回路の電源保護回路

発明者： 和田 俊男 ,  岩浪 栄一
出願人/特許権者： 日鉄セミコンダクター株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-258692
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097362
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路の電源端子の静電気耐性を改善させる。【構成】 電源保護回路1は、電源電圧ライン11と基準電圧ライン(接地電圧ライン)12との間に直接接続された第1のキャパシタ13、電源電圧ライン11と基準電圧ライン12との間にカスケード接続されたnチャネルMOS型のトランジスタ14,15、および電源電圧ライン11と基準電圧ライン12との間に直列接続されたキャパシタ16と抵抗17(CR回路)を備える。電源電圧ライン11に静電気等の異常高周波電圧が印加されると、その一部はキャパシタ13を通して放電される。キャパシタ13により吸収されない高周波電圧は、キャパシタ16および抵抗17からなるターンオン電圧供給回路B2 (CR回路)から供給されるターンオン電圧によってトランジスタ14,15がターンオンすることにより、トランジスタ14,トランジスタ15の各チャネルを通して基準電圧ライン12へ放電される。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路における電源電圧ラインと基準電圧ラインとの間に接続され、前記電源電圧ラインに対し異常な高周波電圧が印加されたときに、その一部を前記基準電圧ラインへ放電させる第1の放電回路と、同一導電型の一対のMOSトランジスタからなるスイッチング回路、および前記電源電圧ラインに対し異常高周波電圧が印加されたときに前記一対のMOSトランジスタそれぞれのゲートに対してターンオン電圧を供給するターンオン電圧供給回路を有し、前記一対のMOSトランジスタを同時にターンオンさせて、異常高周波電圧を前記一対のMOSトランジスタを介して基準電圧ラインへ放電させる第2の放電回路とを備えたことを特徴とする半導体集積回路の電源保護回路。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-257968
  
• 特開昭61-263255
  
• 静電放電検知及びクランプ制御回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-229576   出願人：ナショナルセミコンダクタコーポレイション
• 特開平4-229649