透明導電膜およびその製造方法並びにその用途

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岸田正行 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-294138
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100154
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】有機ELパネルに好適な、膜表面が平坦で抵抗率が低く、仕事関数の大きな透明導電膜を提供し、また、この透明導電膜を成膜するに際して有用なスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】抵抗率が250μΩ・cm以下、表面凹凸の最大高低差(Z-max)/膜厚(t)が10%以下で仕事関数が4.9eV以上の特性を有する透明導電膜であり、このような透明導電膜は、実質的にIn,Sn,Ge,Gaおよび酸素からなる焼結体であって、GeとGaの含有量の和(Ge/(In+Sn+Ge)の原子比)+(Ga/(In+Sn+Ga)の原子比)が1〜6%以下であるスパッタリングターゲットをスパッタすることにより得られる。

請求項（抜粋）：

抵抗率が250μΩ・cm以下、かつ表面凹凸の最大高低差(Z-max)/膜厚(t)が10%以下、かつ仕事関数が4.9eV以上の特性を有することを特徴とする透明導電膜。

IPC (9件)：

H01B 5/14 , B32B 7/02 104 , B32B 9/00 , C04B 35/457 , C23C 14/08 , C23C 14/34 , H01B 13/00 503 , H05B 33/14 , H05B 33/28

FI (9件)：

H01B 5/14 A , B32B 7/02 104 , B32B 9/00 A , C23C 14/08 D , C23C 14/34 A , H01B 13/00 503 B , H05B 33/14 A , H05B 33/28 , C04B 35/00 R

Fターム (49件)：

3K007AB00 , 3K007AB05 , 3K007AB17 , 3K007CA01 , 3K007CB01 , 3K007DA00 , 3K007DB03 , 3K007EB00 , 3K007FA01 , 3K007FA03 , 4F100AA17B , 4F100AA26B , 4F100AA28B , 4F100AG00A , 4F100AR00B , 4F100AT00A , 4F100BA02 , 4F100BA07 , 4F100DD01B , 4F100EH662 , 4F100GB41 , 4F100JG01 , 4F100JG01B , 4F100JG04 , 4F100JG04B , 4F100JN01 , 4F100YY00B , 4G030AA34 , 4G030AA39 , 4G030BA02 , 4G030BA14 , 4G030BA15 , 4G030BA16 , 4G030GA09 , 4K029BA45 , 4K029BA50 , 4K029BC09 , 4K029BD00 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC34 , 4K029DC35 , 5G307FA00 , 5G307FA01 , 5G307FB01 , 5G307FC10 , 5G323BA02 , 5G323BB05

引用特許：

審査官引用 (1件)

透明導電膜付き基板及び該透明導電膜付き基板を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-147968 出願人：日本板硝子株式会社

前のページに戻る