特許
J-GLOBAL ID：200903072364534945

低誘電率樹脂膜の製造法及び半導体装置

発明者：
本田 善彦

本田 善彦 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-201071
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028367
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：
【要約】【課題】 低誘電率を示し、耐熱性、絶縁性に優れる低誘電率樹脂膜の製造法及び配線の微細化に伴い生じる信号の伝搬遅延が低減され、耐熱性、耐熱性に優れ、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 ポリキノリン樹脂又はポリキノキサリン樹脂と、下記一般式〔1〕【化1】(式中、Arは少なくとも2個の炭素を含む2価の有機基を示す)で表されるビスマレイミド化合物とを必須成分とする樹脂組成物より形成された皮膜を加熱処理することを特徴とする低誘電率樹脂被膜の製造法及びこの製造法で得られた低誘電率樹脂被膜を半導体基板の層間絶縁膜及び/又は表面保護膜として有してなる半導体装置。
請求項（抜粋）：
ポリキノリン樹脂又はポリキノキサリン樹脂と、下記一般式〔1〕【化1】(式中、Arは少なくとも2個の炭素を含む2価の有機基を示す)で表されるビスマレイミド化合物とを必須成分とする樹脂組成物より形成された皮膜を加熱処理することを特徴とする低誘電率樹脂被膜の製造法。
IPC (7件)：
H01L 21/312 ,  C08K 5/3415 ,  C08L 65/00 ,  C08L 65/04 ,  C09D 5/25 ,  C09D165/00 ,  C09D201/00
FI (7件)：
H01L 21/312 A ,  C08K 5/3415 ,  C08L 65/00 ,  C08L 65/04 ,  C09D 5/25 ,  C09D165/00 ,  C09D201/00
Fターム (25件)：
4J002CM021 ,  4J002EU026 ,  4J002GQ00 ,  4J002GQ01 ,  4J038DC001 ,  4J038DF061 ,  4J038DK001 ,  4J038DK011 ,  4J038JB23 ,  4J038JB27 ,  4J038KA03 ,  4J038KA06 ,  4J038NA14 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  4J038PB09 ,  4J038PC02 ,  4J038PC03 ,  4J038PC08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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