特許
J-GLOBAL ID：200903072377546454

半導体装置、及びその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
根本 幸恵

根本 幸恵 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-312684
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159332
出願日： 2004年10月27日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】本発明では、高速化及び高集積化が可能な半導体素子、及びそれが高集積された半導体装置、並びにこれらの作製方法を提供する。【解決手段】 本発明は、基板の厚さ方向に積層されたソース領域、チャネル形成領域、及びドレイン領域と、絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重畳するゲート電極とを有し、前記チャネル形成領域は、極細炭素繊維で形成されている半導体装置である。本発明の半導体装置は、極細炭素繊維をチャネル形成領域に有し、かつ基板表面に対して縦方向に積層されている半導体素子を有するため、高集積化が可能である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の厚さ方向に積層されたソース領域、チャネル形成領域、及びドレイン領域と、 絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重畳するゲート電極とを有し、 前記チャネル形成領域は、極細炭素繊維で形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78
FI (12件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/06 601B ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653B ,  H01L29/78 653D ,  H01L29/78 626A ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/78 301Y ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/08 102E
Fターム (73件)：
5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BD01 ,  5F048BD07 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048CB07 ,  5F110AA01 ,  5F110AA09 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE27 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG30 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK10 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM02 ,  5F110PP03 ,  5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140BA01 ,  5F140BA13 ,  5F140BB04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE07 ,  5F140BF00 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF44 ,  5F140BF54 ,  5F140BG38 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CA06 ,  5F140CE07 ,  5F140CE20
引用特許：
審査官引用 (1件)

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