特許
J-GLOBAL ID：200903072379397928
3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-120905
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283861
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】レーザダイオードの共振器端面の平行度を向上させると共に電流を供給する下層の抵抗を小さくし、発振効率を向上させる【解決手段】レーザダイオードの下層に対する電極を形成するために、上層の一部をエッチングして下層の一部を露出させるエッチングを行い、その後に、上層と下層の電極を形成した後、共振器端面を形成するためのエッチングを行う。電極形成のためのエッチングと共振器端面を形成するエッチングとを分離して行っているため、共振器端面を形成するエンチングを深く実行できるため、エッチング溝の垂直度の高い部分を共振器端面とすることができる。又、電極形成のエッチング溝は端面形成とは別に実行されるため、活性層に電流を供給する下層の厚さがこのエッチングで薄くなることがなく、その層の抵抗を小さくできる。端面形成は電極形成後であるので端面の汚染が防止され、反射率を向上できる。
請求項（抜粋）：
基板上に3族窒化物半導体から成るp層とn層とを形成した3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法において、前記基板上に3族窒化物半導体から成る各層を形成し、下層に対する電極形成のために、上層の一部をエッチングし、露出された下層及び最上層に電極層を形成し、共振器の端面を形成するために前記各層をエッチングすることから成る3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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