特許
J-GLOBAL ID：200903072395982911

酸化物誘電体膜用電極構造およびそれを用いたキャパシタ素子及びそれらの製造方法

発明者：
古村 雄二

古村 雄二 について

, 
岸井 貞浩

岸井 貞浩 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-201373
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026256
出願日： 2000年07月03日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 分極劣化等を防止する効果が高いキャパシタ技術を提供する。【解決手段】 PbまたはBiを含む酸化物誘電体膜5と、PbまたはBiを含む酸化物誘電体膜3と接触するTaN膜7aとを含み、前記TaN膜7aの少なくとも厚さ方向の一部が全領域にわたってアモルファス化されている。前記TaN膜7aをアモルファス化する為にはNイオンを注入する。【効果】Nをイオン注入したTaN膜を用いるとアモルファス化したTaN膜の表面かつ水素等に対するバリア層となり、加えてTaN膜のストレスの影響を低減する効果があると推測される。
請求項（抜粋）：
PbまたはBiを含む酸化物誘電体膜用電極構造であって、前記PbまたはBiを含む酸化物誘電体膜と接触するTaN膜とを含み、前記TaN膜の少なくとも厚さ方向の一部が全領域にわたってアモルファス化されている酸化物誘電体膜用電極構造。
IPC (5件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (4件)：
H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 615 ,  H01L 27/10 621 A
Fターム (24件)：
5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD00 ,  5F083AD14 ,  5F083AD22 ,  5F083FR02 ,  5F083GA06 ,  5F083GA21 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36
引用特許：
審査官引用 (2件)

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