半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-215988
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049116
出願日： 1998年07月30日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】低抵抗且つ高バリア性を有するバリアメタルを提供する。【解決手段】バリアメタル201 が、配線溝16の底面及び側壁の表面に沿って形成された膜厚16nmのTaN0.87膜31と、TaN0.87膜上に形成され、配線溝16に埋め込み形成されたCuダマシン配線17に接する膜厚4nmのTaN1.19膜32とから構成されている。

請求項（抜粋）：

金属配線を構成する元素の拡散を抑制するバリアメタルを具備する半導体装置であって、前記バリアメタルは、金属元素から少なくとも一つの元素が選ばれたαとボロン,酸素,炭素,窒素から少なくとも一つの元素が選ばれたβとから構成され、元素構成比率が異なる2種類以上の化合物膜αβn が積層されて構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/88 R

Fターム (28件)：

4M104BB18 , 4M104BB29 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB34 , 4M104BB35 , 4M104BB37 , 4M104BB38 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104DD39 , 4M104DD41 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH05 , 5F033AA04 , 5F033AA29 , 5F033AA64 , 5F033BA15 , 5F033BA17 , 5F033BA22 , 5F033BA23 , 5F033BA25 , 5F033BA38 , 5F033BA45 , 5F033BA46 , 5F033DA06 , 5F033DA15

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-204486 出願人：株式会社日立製作所
配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-300537 出願人：ソニー株式会社
特開平3-135018

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