特許
J-GLOBAL ID:200903072407962199

半導体装置用ヒートスプレッダーおよびそれを使用した半導体装置ならびに該ヒートスプレッダーの製造法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田村 弘明 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-025740
公開番号(公開出願番号):特開平8-186203
出願日: 1995年02月14日
公開日(公表日): 1996年07月16日
要約:
【要約】【目的】 熱放散性に優れ、Siチップとの熱膨張差が小さく、樹脂やセラミックとの間の熱応力の問題も解決でき、高集積化して発熱量が増大した場合にも対応できる半導体装置用ヒートスプレッダー、それを使用した半導体装置、ヒートスプレッダーの製造法を提供する。【構成】 Fe-Ni系合金とCu系金属が交互に積層され、チップ搭載面内で一方向の縞状に配置された縞状金属体からなる。周縁が縞と交差して切出されたもの、縞の方向を互いに直角にして2枚以上重ね接合されたもの、少なくともチップ搭載面がCu系金属で被覆されたもの、コーナー部が金属Tiで構成されているものが好ましい。また、チップ搭載面の中央部がFe-Ni系、周辺部がCu系で構成されたもの。HIP、圧延あるいは熱押で製造する。
請求項(抜粋):
Fe-Ni系合金とCu系金属が交互に積層され、チップ搭載面内で一方向の縞状に配置された縞状金属体からなることを特徴とする半導体装置用ヒートスプレッダー。
引用特許:
審査官引用 (5件)
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