特許
J-GLOBAL ID：200903072423804978

カーボンナノチューブカソードの製造方法およびカーボンナノチューブカソード

発明者：
倉知 宏行

倉知 宏行 について

, 
上村 佐四郎

上村 佐四郎 について


出願人/特許権者：
株式会社ノリタケカンパニーリミテド

株式会社ノリタケカンパニーリミテド について


代理人 (2件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-030226
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216482
出願日： 2005年02月07日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：
【課題】CVD法により、より細くかつ均一の膜厚のカーボンナノチューブからなる膜を基板上に形成できるようにする。【解決手段】基板101上にアルミナからなる第1の層102を形成し、この第1の層102上に触媒金属からなる第2の層103を形成する。これにより、より細くかつ均一の膜厚のカーボンナノチューブからなる層が基板上に形成される。これは、第1の層102に形成される凹凸や空隙に、触媒金属が微細な状態で保持されるためと考えられる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
導体からなる基板上にアルミナからなる第1の層を形成する第1のステップと、 前記第1の層の上に触媒金属からなる第2の層を形成する第2のステップと、 前記第1の層および前記第2の層が形成された前記基板を配置した反応炉中にカーボンソースガスを導入し、化学的気相成長法により複数のカーボンナノチューブを前記基板上に成長させる第3のステップと を備えたことを特徴とするカーボンナノチューブカソードの製造方法。
IPC (11件)：
H01J 9/02 ,  B01J 23/85 ,  B01J 23/86 ,  B01J 23/88 ,  B01J 37/02 ,  C01B 31/02 ,  B01J 23/745 ,  B01J 23/75 ,  H01J 1/304 ,  B01J 23/755 ,  B01J 23/847
FI (11件)：
H01J9/02 B ,  B01J23/85 M ,  B01J23/86 M ,  B01J23/88 M ,  B01J37/02 301L ,  C01B31/02 101F ,  B01J23/74 301M ,  B01J23/74 311M ,  H01J1/30 F ,  B01J23/74 321M ,  B01J23/84 301M
Fターム (65件)：
4G069AA03 ,  4G069BA01A ,  4G069BB02A ,  4G069BC56A ,  4G069BC58A ,  4G069BC59A ,  4G069BC60A ,  4G069BC66A ,  4G069BC67A ,  4G069BC68A ,  4G069CB81 ,  4G069DA06 ,  4G069EA08 ,  4G069EB15Y ,  4G069EC28 ,  4G069EE06 ,  4G069FA03 ,  4G069FB01 ,  4G069FB13 ,  4G069FB19 ,  4G069FB23 ,  4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AC03B ,  4G146AD29 ,  4G146BA12 ,  4G146BA36 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC33B ,  4G169AA03 ,  4G169BA01A ,  4G169BB02A ,  4G169BC56A ,  4G169BC58A ,  4G169BC59A ,  4G169BC60A ,  4G169BC66A ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169CB81 ,  4G169DA06 ,  4G169EA08 ,  4G169EB15Y ,  4G169EC28 ,  4G169EE06 ,  4G169FA03 ,  4G169FB01 ,  4G169FB13 ,  4G169FB19 ,  4G169FB23 ,  5C127AA01 ,  5C127BA09 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127DD08 ,  5C127DD32 ,  5C127EE04 ,  5C135AA09 ,  5C135AA15 ,  5C135AB07 ,  5C135AC01 ,  5C135HH04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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