特許

J-GLOBAL ID：200903072429666712

GaN単結晶およびその製造方法

発明者： 只友 一行 ,  渡部 信一 ,  平松 和政
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-242967
公開番号（公開出願番号）：特開平7-165498
出願日： 1994年10月06日
公開日（公表日）： 1995年06月27日
要約：

【要約】【目的】 高品質な単結晶で、かつ、単独で基板として用いることが可能なほど十分な厚みを有するGaN単結晶とその製造方法を提供すること。【構成】 2結晶法X線ロッキングカーブの半値全幅が5〜250sec、かつ、厚みが80μm以上のGaN単結晶である。少なくとも表面がGaN単結晶である基板上にGaN単結晶との格子整合性の良好な物質を成膜しバッファ層とした上に目的のGaNを結晶成長させる工程を有する製造方法によって製造される。この製造方法はバッファ層の除去法によって分けられる。最初の基板P0 上に上記結晶成長サイクルを所望の回数繰り返して積層物を形成させた後に各バッファ層B1 〜Bn を一度に除去しGaN単結晶P1 〜Pn を得る方法。1サイクル毎にバッファ層を除去し、常にGaN単独の単結晶として上記結晶成長サイクル繰り返す方法。そして、これらが複合された方法である。

請求項（抜粋）：

2結晶法X線ロッキングカーブの半値全幅が5〜250secであり、かつ、厚みが80μm以上であるGaN単結晶。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭51-050899
  
• 特開昭56-059700
  
• 特開昭53-104598