特許
J-GLOBAL ID：200903072451244481
半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
平田 忠雄
, 角田 賢二
, 岩永 勇二
, 中村 恵子
, 遠藤 和光
, 野見山 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-046357
公開番号（公開出願番号）：特開2009-206265
出願日： 2008年02月27日
公開日（公表日）： 2009年09月10日
要約：
【課題】半導体積層構造の結晶性を実質的に維持できる範囲の基板オフ角を有する成長基板上に成長した半導体積層構造を有し、光取り出し効率を向上させる粗面を形成できる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】支持構造体6と発光構造体5とを備える半導体発光素子1において、支持構造体6は、支持基板20と、支持基板20の表面上方に設けられる支持基板側接合層200とを有し、発光構造体5は、支持基板側接合層200と接合する発光構造側接合層170と、発光構造側接合層170の支持基板20の反対側に設けられる反射層150と、反射層150の発光構造側接合層170の反対側に設けられる発光層135を含む半導体積層構造130とを有し、半導体積層構造130は、反射層150の反対側の表面に、{100}面から22.5±5度の範囲で面方位が傾斜している光取り出し面180を含む。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
支持構造体と発光構造体とを備える半導体発光素子において、
前記支持構造体は、
支持基板と、
前記支持基板の一の表面の上方に設けられる支持基板側接合層と
を有し、
前記発光構造体は、
前記支持基板側接合層と接合する発光構造側接合層と、
前記発光構造側接合層の前記支持基板の反対側に設けられる反射層と、
前記反射層の前記発光構造側接合層の反対側に設けられ、所定の波長の光を発する発光層を含む半導体積層構造と
を有し、
前記半導体積層構造は、前記反射層の反対側の表面に、{100}面から22.5±5度の範囲で結晶面方位が傾斜している光取り出し面を含む半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA37
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CB15
, 5F041DA02
, 5F041DA12
, 5F041DA18
