特許

J-GLOBAL ID：200903072461512964

近接場露光方法、近接場露光装置

発明者： 寺尾 亮 ,  伊藤 俊樹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-327845
公開番号（公開出願番号）：特開2008-141087
出願日： 2006年12月05日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：

【課題】露光用マスクと被露光物が密着していることを直接検出し、それらの密着状態を精度よく検出することが可能となる近接場露光方法、近接場露光装置を提供する。【解決手段】本発明の近接場露光方法は、露光用光源の光の波長よりも小さい開口部を有する遮光膜を備えた露光用マスクを用い、露光用光源から照射される光により前記露光用マスクの開口部に発生する近接場光によってレジストを露光する近接場露光方法であって、 前記露光用マスクとして、前記露光用光源から照射される光の波長に対して透過率が低く、計測用光源から照射される光の波長に対して透過率が高い材料で前記遮光膜を構成した近接場露光マスクを用い、 前記近接場露光マスクと前記レジストから反射される計測光の干渉を計測することによって、前記近接場露光マスクと前記レジストとの密着状態を検出し、近接場露光をする工程を有する構成とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

露光用光源の光の波長よりも小さい開口部を有する遮光膜を備えた露光用マスクを用い、露光用光源から照射される光により前記露光用マスクの開口部に発生する近接場光によってレジストを露光する近接場露光方法であって、 前記露光用マスクとして、前記露光用光源から照射される光の波長に対して透過率が低く、計測用光源から照射される光の波長に対して透過率が高い材料で前記遮光膜を構成した近接場露光マスクを用い、 前記近接場露光マスクと前記レジストから反射される計測光の干渉を計測することによって、前記近接場露光マスクと前記レジストとの密着状態を検出し、近接場露光をする工程を有することを特徴とする近接場露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (2件)：

H01L21/30 502D ,  G03F1/16 Z

Fターム (5件)：

2H095BC05 ,  5F046AA25 ,  5F046AA28 ,  5F046BA10 ,  5F046CB17

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 密着状態の検出方法及び装置、密着制御方法及び装置、近接場露光方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-129904   出願人：キヤノン株式会社