特許
J-GLOBAL ID:200903072469160935

フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ンの製造方法、及び半導体素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 荒船 博司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-133380
公開番号(公開出願番号):特開2000-038391
出願日: 1999年05月13日
公開日(公表日): 2000年02月08日
要約:
【要約】【課題】 遠紫外線領域で使用可能な感光膜樹脂製造用単量体を提供する。【解決手段】 遠紫外線領域で使用可能な感光膜樹脂製造用単量体であり、有用な下記式(1)で示されるオキサビシクロ化合物を製造する。【化1】前記式で、R1及びR2は同じか或いは異なり、水素又は炭素数1〜4の直鎖又は枝分れ鎖に置換されたアルキルであり、mは1〜4の数を示す。さらに前記オキサビシクロ化合物が導入されたArF又はKrF感光膜樹脂及びこれを利用した感光膜微細パターンを形成する。
請求項(抜粋):
下記式(1)で示されるフォトレジスト単量体。【化1】前記式で、R1及びR2は同じか或いは異なり、水素又は炭素数1〜4の直鎖又は枝分れ鎖に置換されたアルキルであり、mは1〜4の数を示す。
IPC (6件):
C07D493/08 ,  C08F 22/06 ,  C08F 32/00 ,  C08L 45/00 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039
FI (6件):
C07D493/08 A ,  C08F 22/06 ,  C08F 32/00 ,  C08L 45/00 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭58-025630
  • 特開昭53-079846
引用文献:
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