特許

J-GLOBAL ID：200903072469160935

フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ンの製造方法、及び半導体素子

発明者： 鄭 載昌 ,  盧 致亨 ,  鄭 ▲みん▼鎬 ,  白 基鎬 ,  李 根守
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-133380
公開番号（公開出願番号）：特開2000-038391
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】 遠紫外線領域で使用可能な感光膜樹脂製造用単量体を提供する。【解決手段】 遠紫外線領域で使用可能な感光膜樹脂製造用単量体であり、有用な下記式(1)で示されるオキサビシクロ化合物を製造する。【化1】前記式で、R1及びR2は同じか或いは異なり、水素又は炭素数1〜4の直鎖又は枝分れ鎖に置換されたアルキルであり、mは1〜4の数を示す。さらに前記オキサビシクロ化合物が導入されたArF又はKrF感光膜樹脂、及びこれを利用した感光膜微細パターンを形成する。

請求項（抜粋）：

下記式(1)で示されるフォトレジスト単量体。【化1】前記式で、R1及びR2は同じか或いは異なり、水素又は炭素数1〜4の直鎖又は枝分れ鎖に置換されたアルキルであり、mは1〜4の数を示す。

IPC (6件)：

C07D493/08 ,  C08F 22/06 ,  C08F 32/00 ,  C08L 45/00 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039

FI (6件)：

C07D493/08 A ,  C08F 22/06 ,  C08F 32/00 ,  C08L 45/00 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-025630
  
• 特開昭53-079846
  
• 特開昭58-025630
  
• 特開昭53-079846
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Journal of Photopolymer Science and Technology, 1997, Vol.10, No.4, p.529-534