特許
J-GLOBAL ID：200903072471634855
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-222287
公開番号（公開出願番号）：特開平7-141892
出願日： 1993年08月13日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 フラッシュEEPROMのディスターブ耐性を向上させる。【構成】 メモリセルのしきい値電圧と比較照合するための複数のしきい値電圧検出レベルをセンスアンプ回路SAMP内に設け、メモリセルからの情報読み出し時に、メモリセルのしきい値電圧を前記検出レベルと比較し、この比較に基づいてメモリセルに記憶された情報のディスターブの有無及びディスターブを受ける以前の元の情報を取り出す。
請求項（抜粋）：
電気的に書き込みが可能な不揮発性半導体記憶装置において、行列状に配置された複数の電気的書き込みが可能な不揮発性半導体メモリセルと、前記メモリセルの内少なくとも1つを選択状態にし、他のメモリセルを非選択状態とするデコーダ回路と、前記デコーダ回路を介し前記選択状態のメモリセルに書き込みを行う書き込み手段と、前記デコーダ回路を介し前記選択状態のメモリセルから読み出しを行う読み出し手段と、前記選択状態のメモリセルへの書き込み時に、前記非選択状態のメモリセルに印加される電圧により発生する前記非選択状態のメモリセルのしきい値電圧の変化を検出する検出手段と、前記非選択状態のメモリセルのしきい値電圧の変化を検出した結果により、前記非選択状態のメモリセルのしきい値電圧を変化前の値又はその近傍値に復元する復元手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 510 A
, G11C 17/00 520 B
