特許

J-GLOBAL ID：200903072478720404

3族窒化物半導体発光素子

発明者： 小池 正好 ,  浅見 慎也
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-209182
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036422
出願日： 1995年07月24日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】3族窒化物化合物半導体を用いた紫外線発光素子の発光効率の向上。【構成】発光層5は、Al<SB>X2</SB>Ga<SB>1-X2</SB>N から成るバリア層51とAl<SB>X1</SB>Ga<SB>1-X1</SB>N (X1 <X2) から成る井戸層52とを交互に多数積層させた多重量子井戸で構成され、シリコンと亜鉛とが同時に全井戸層52に添加されている。アクセプタ準位とドナー準位との対発光により紫外線の発光強度が向上した。

請求項（抜粋）：

発光層に3族窒化物半導体を用いた発光素子において、前記発光層は、Al<SB>X2</SB>Ga<SB>1-X2</SB>N から成るバリア層とAl<SB>X1</SB>Ga<SB>1-X1</SB>N (X1 <X2) から成る井戸層とを交互に積層させた量子井戸で構成され、前記発光層にアクセプタ不純物とドナー不純物とを添加したことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 化合物半導体超格子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-083755   出願人：日本電信電話株式会社