特許

J-GLOBAL ID：200903072488534919

半導体ウェハの横方向に分断する方法およびオプトエレクトロニクス構成素子

発明者： フォルカー ヘルレ ,  クリストフ アイヒラー
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (8件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  杉本 博司 ,  星 公弘 ,  二宮 浩康 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-528324
公開番号（公開出願番号）：特表2009-506969
出願日： 2006年08月04日
公開日（公表日）： 2009年02月19日
要約：

半導体ウェハ(1)を横方向に分断する本発明の方法では、成長基板(2)を準備し、この成長基板(2)に半導体層列(3)をエピタキシ成長させる。ここではこの半導体層列には、分離層(4)として設けられた層と、成長の方向に見てこの分離層に続く少なくとも1つの機能半導体層(5)とが含まれている。引き続いてこの機能半導体層(5)を通して分離層(4)にイオン打ち込み、半導体層をこの分離層(4)に沿って分断し、上記の成長基板(2)を含む半導体ウェハ(1)の部分(1a)が切り離される。

請求項（抜粋）：

成長基板(2)および半導体層列(3)を含む半導体ウェハ(1)を横方向に分断する方法において、 該方法は、 - 成長基板(2)を準備するステップと、 - 当該の成長基板(2)に半導体層列(3)をエピタキシ成長させるステップとを有しており、ここで半導体層列(3)には、分離層(4)として設けられた層と、成長方向に見て当該の分離層(4)に続く少なくとも1つの機能半導体層(5)とが含まれており、 上記の方法にはさらに、 - 当該の機能半導体層(5)を通して前記の分離層(4)にイオンを打ち込むステップと、 - 前記の半導体ウェハ(1)を分断するステップとを有しており、 前記の成長基板(2)を含む半導体ウェハ(1)の部分(1a)を前記の分離層(4)に沿って切り離すことを特徴する、 半導体ウェハ(1)を横方向に分断する方法。

IPC (5件)：

C30B 33/00 ,  H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/02

FI (5件)：

C30B33/00 ,  H01L33/00 C ,  C30B29/38 D ,  H01L21/20 ,  H01L21/02 B

Fターム (39件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF04 ,  4G077FD02 ,  4G077FE11 ,  4G077FF10 ,  4G077FG13 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA71 ,  5F152LL05 ,  5F152LM02 ,  5F152LM05 ,  5F152LM09 ,  5F152LP02 ,  5F152LP07 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM16 ,  5F152NN04 ,  5F152NN05 ,  5F152NN07 ,  5F152NN09 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN19 ,  5F152NQ09

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化物半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-385397   出願人：日立電線株式会社