特許
J-GLOBAL ID：200903069174383303

窒化物半導体基板及びその製造方法

発明者：
大島 祐一

大島 祐一 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 高石 橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-385397
公開番号（公開出願番号）：特開2005-145754
出願日： 2003年11月14日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】 結晶成長において発生する欠陥を低減した高品質な窒化物半導体基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の窒化物半導体基板は10 mm以上の直径を有し、AlxGa1-xN(0≦x≦1)により表される基本組成を有する窒化物半導体層からなる単層構造か、前記窒化物半導体層を含む複層構造を有し、前記窒化物半導体層の質量密度が、下記一般式(1):【数1】 (ax=aGaN+(aAlN-aGaN)xであり(aGaNはGaNのa軸長を表し、aAlNはAlNのa軸長を表す。)、cx=cGaN+(cAlN-cGaN)xであり(cGaNはGaNのc軸長を表し、cAlNはAlNのc軸長を表す。)、Mx=MGa+(MAl-MGa)xであり(MGaはGaの原子量を表し、MAlはAlの原子量を表す。)、MNは窒素の原子量を表し、Naはアボガドロ数を表す。)により表される質量密度の理論値ρ(x)の98%以上であることを特徴とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
直径が10 mm以上の窒化物半導体基板であって、AlxGa1-xN(0≦x≦1)により表される基本組成を有する窒化物半導体層からなる単層構造か、前記窒化物半導体層を含む複層構造を有し、前記窒化物半導体層の質量密度が、下記一般式(1):
IPC (3件)：
C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  H01L21/205
Fターム (35件)：
4G077AA03 ,  4G077AB03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA04 ,  4G077FE02 ,  4G077FE11 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TC03 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030LA11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE30 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA57 ,  5F045DA67 ,  5F045HA06 ,  5F045HA10 ,  5F045HA16
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (2件)

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