特許
J-GLOBAL ID：200903072499410200
光-光スイッチング方法、光-光スイッチング素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2006301780
公開番号（公開出願番号）：WO2006-082897
出願日： 2006年02月02日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
制御光で信号光をオン/オフする光-光スイッチング方法において、二光子吸収特性を有する半導体に、光強度の低い信号光を照射しつつ、光強度の高い制御光を間欠的に照射し、該制御光の照射時には発生した二光子吸収により該信号光の通過を遮断し、該制御光の非照射時には該信号光を通過させる光-光スイッチング方法;二光子吸収特性を有する半導体、該半導体へ入力する制御光と信号光の伝播手段および該半導体を透過した信号光の伝播手段とからなる光-光スイッチング素子;基板上に二光子吸収特性を有する半導体を形成する工程および導波路を形成する工程からなる光-光スイッチング素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
制御光で信号光をオン/オフする光-光スイッチング方法において、二光子吸収特性を有する半導体に、光強度の低い信号光を照射しつつ、光強度の高い制御光を間欠的に照射し、該制御光の照射時には発生した二光子吸収により該信号光の通過を遮断し、該制御光の非照射時には該信号光を通過させることを特徴とする光-光スイッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
2K002AB04
, 2K002BA01
, 2K002CA13
, 2K002DA06
, 2K002HA30
