特許

J-GLOBAL ID：200903072503693409

ガスセンサ素子及びその製法

発明者： 渥美 尚勝 ,  鈴木 啓司 ,  田辺 真志
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 足立 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-094864
公開番号（公開出願番号）：特開平11-295263
出願日： 1998年04月07日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 測定対象となるガスにSi成分が含まれている場合であっても応答性の劣化を抑制できるガスセンサ素子及びその製法を提供する。【解決手段】 ガスセンサ素子10は、固体電解質層2と、この固体電解質層2の内表面に設けられた内側電極3と、この固体電解質層2の外表面に設けられた外側電極4と、この外側電極4を被覆するように形成され、気孔率が5〜25%で厚みが50μm以上である第1保護層5aと、この第1保護層を被覆するように形成され、気孔率が25〜50%で厚みが100μm以上である第2保護層5bとを備えている。このガスセンサ素子10によれば、測定対象ガスにSi成分が含まれている場合であってもそのSi成分を長期間トラップできるため、応答性の劣化を十分抑制でき、安定に作動するという効果が得られる。

請求項（抜粋）：

固体電解質層と、前記固体電解質層の内表面に設けられた内側電極と、前記固体電解質層の外表面に設けられた外側電極と、前記外側電極を被覆するように形成され、気孔率が5〜25%で厚みが50μm以上である第1保護層と、前記第1保護層を被覆するように形成され、気孔率が25〜50%で厚みが100μm以上である第2保護層とを備えたことを特徴とするガスセンサ素子。なお、前記気孔率とは、前記第1保護層(又は前記第2保護層)の断面を画像処理解析したときの暗部が占める面積割合をいう。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 酸素センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-136539   出願人：日本電装株式会社
• 酸素センサ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-248726   出願人：株式会社デンソー
• エンジンの燃料供給装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-026819   出願人：株式会社クボタ