特許
J-GLOBAL ID：200903072510754227
露光方法、デバイス製造処理方法、デバイス製造処理システム及び測定検査装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
立石 篤司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-103829
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281117
出願日： 2006年04月05日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】デバイス生産の歩留まりを向上させる。【解決手段】ステップ401では、2つのレチクルのパターン形成面の面形状の相関度を算出する。ステップ403では、その相関度と閾値Aとを比較し、相関度が閾値A以下であれば、ステップ405で、レチクルOKを設定する。この場合には、そのレチクルが露光装置に搬入され、処理が続行される。また、相関度が、閾値A以下でなければ、ステップ407において、その相関度と閾値Bとを比較し、相関度が閾値B以下であれば、ステップ409で、レチクル調整を設定する。これが設定されれば、レチクルの保持位置や保持力が調整されることになる。また、相関度が閾値B以下でなければ、ステップ411において、レチクル変更が設定され、処理がリセットされ、再スタートとなる。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
異なる露光位置に配置された複数のマスク上のパターンから照射され1つの光学素子を介して基板上の被露光領域の同一の領域に照射する複数露光光で前記基板を露光する露光方法において、
前記複数のマスクが前記異なる露光位置それぞれへ搬入される前に、前記各マスクのパターン形成面の面形状に関する情報を測定する事前測定工程と;
測定された前記各マスクのパターン形成面の面形状に関する情報に基づいて、前記複数のマスク間の面形状の相関情報を求める工程と;を含む露光方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F046AA11
, 5F046CB17
, 5F046DA14
, 5F046DB05
