導波光検出器及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-063614
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261809
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】光結合効率を向上でき、外部制御回路としてのICを集積化した、高速応答性や高集積化を享受することができる導波光検出器を提供する。【解決手段】テーパ部6及びその前後の導波路X,YをP+不純物拡散領域5の形成で生じた段差8の内側に形成する。

請求項（抜粋）：

同一の半導体基板上に不純物拡散領域を有する光電変換素子と、該光電変換素子からの出力を処理するICが設けられ、該半導体基板の上方に少なくとも一層の窒化ケイ素膜が設けられ、更に、少なくとも一層からなる光伝搬用の光導波路層が、その最下層より屈折率の低い誘電体層を介して該窒化ケイ素膜の上方に設けられ、且つ、該光導波路層の光の伝搬方向における前部と該不純物拡散領域との間に光結合可能な受光領域が設けられた構造の導波光検出器において、該受光領域が、該誘電体層を光の伝搬方向に厚みを徐々に薄くすることで形成されたテーパ部と、光の伝搬方向における該テーパ部の後方に位置する該光導波路の後部の一部で形成され、且つ該テーパ部と該光導波路の前部及び後部が該不純物拡散領域の形成時に形成された段差部に囲まれた領域の範囲内に設けられている導波光検出器。

IPC (2件)：

H01L 31/0232 , G02B 6/122

FI (2件)：

H01L 31/02 D , G02B 6/12 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-082172
受光素子及び受光素子の使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-344697 出願人：株式会社リコー
特開平4-251987

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