イオン源の制御方法およびイオンドーピング装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-195758
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023532
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】第1ないし第3の放電発生手段を有するイオン源から引き出すイオンビームの均一性および注入イオンの均一性を高め、かつこれらの均一性の安定性を高める。【解決手段】このイオン源20は、第1ないし第3の放電発生手段として、第1ないし第3のフィラメント1〜3を有している。そして、中央に位置する第2のフィラメント2への投入電力を、第1ないし第3のフィラメント1〜3への投入電力の平均値に対して90%〜100%の範囲内に制御し、かつ両側に位置する第1および第3のフィラメント1および3への投入電力を、両者への投入電力の平均値が、第1ないし第3のフィラメント1ないし3への投入電力の平均値に対して100%〜105%の範囲内に入るように制御する。

請求項（抜粋）：

平面形状が矩形をしていて、ホウ素、リンまたはヒ素を含むイオン源ガスが導入されるプラズマ室容器と、このプラズマ室容器内で放電をそれぞれ発生させて前記イオン源ガスを電離させてプラズマを生成するものであって、当該プラズマ室容器の矩形の長辺に沿う方向に順に配置された第1ないし第3の放電発生手段と、前記プラズマ室容器内に生成されたプラズマからイオンビームを引き出す引出し電極系とを備えるイオン源において、前記第2の放電発生手段への投入電力を、前記第1ないし第3の放電発生手段への投入電力の平均値に対して90%〜100%の範囲内に制御し、かつ前記第1および第3の放電発生手段への投入電力を、両者への投入電力の平均値が、前記第1ないし第3の放電発生手段への投入電力の平均値に対して100%〜105%の範囲内に入るように制御することを特徴とするイオン源の制御方法。

IPC (5件)：

H01J 27/08 , H01J 27/16 , H01J 37/08 , H01J 37/317 , H01L 21/265

FI (5件)：

H01J 27/08 , H01J 27/16 , H01J 37/08 , H01J 37/317 Z , H01L 21/265 603 A

Fターム (8件)：

5C030DD01 , 5C030DD02 , 5C030DD05 , 5C030DE02 , 5C030DE09 , 5C030DG09 , 5C034CC01 , 5C034CD02

引用特許：

審査官引用 (7件)

イオン注入装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-103757 出願人：ソニー株式会社
特開平3-078954
特開平3-078954

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