特許
J-GLOBAL ID:200903072536221847

電気回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-109632
公開番号(公開出願番号):特開2001-060750
出願日: 2000年04月11日
公開日(公表日): 2001年03月06日
要約:
【要約】【課題】 表面実装型のMOSFETが異常発熱したときに、他の回路素子をショートさせるなどの不具合を生じさせないようにする。【解決手段】 表面実装型のMOSFET12、14などの回路素子が半田付けにより回路基板10に実装されている。この回路基板10はベース32に傾斜して保持されており、MOSFET12、14の異常発熱により半田が溶解したときMOSFET12、14が自重で脱落するようになっている。そして、MOSFET12、14の脱落をストッパ部材36、38で停止させ、その停止位置においてMOSFET12、14が電気的にオープン状態となり、かつその後の半田の冷却によってMOSFET12、14がストッパ部材36、38による停止位置で保持されるようになっている。
請求項(抜粋):
表面実装型の半導体パワー素子(12、14、16)を半田付けにより回路基板(10)に実装してなる電気回路装置において、前記半導体パワー素子(12、14、16)の発熱により前記半田が溶解したとき前記半導体パワー素子(12、14、16)が自重で脱落するように前記回路基板(10)が傾斜して配置されており、前記半導体パワー素子(12、14、16)の脱落をストッパ部材(36、38)で停止させ、その停止位置において前記半導体パワー素子(12、14、16)が電気的にオープン状態となり、かつその後の前記半田の冷却によって前記半導体パワー素子(12、14、16)が前記停止位置で保持されるようになっていることを特徴とする電気回路装置。
Fターム (7件):
5E336AA04 ,  5E336BB01 ,  5E336CC08 ,  5E336DD02 ,  5E336DD26 ,  5E336EE01 ,  5E336GG11
引用特許:
出願人引用 (6件)
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