特許

J-GLOBAL ID：200903072543739380

塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  渡辺 武 ,  永田 岳志 ,  前田 和規 ,  西 恒寛
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-164044
公開番号（公開出願番号）：特開2002-363148
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月18日
要約：

【要約】【課題】 膜減りを防止し、より高い解像性と大きいフォーカスマージンを有するレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)と(2)で表される塩基性化合物及び下記一般式(1)、及び(2)で示される塩基性化合物の1種又は2種以上を含有するレジスト材料を提供する。また、上記レジスト材料を基板上に塗布する工程と、次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成方法を提案する。【化1】

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される塩基性化合物。【化1】(上式中、R1は同一又は異種の炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、R2は同一又は異種の水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基であって、ヒドロキシ基、エーテル基、カルボニル基、エステル基、ラクトン環、カーボネート基、又はシアノ基を含んでいても良い。Rp、Rq、Rrは同一又は異種の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、カルボニル基、エステル基、ラクトン環、カーボネート基、又はシアノ基を含んでいても良く、RpとRq、RpとRr、RqとRrがそれぞれ結合して環を形成していてもよい。aは1〜3の整数であり、bは0〜2の整数であり、かつa+b=3を満足する。)

IPC (8件)：

C07C229/12 ,  C07C229/16 ,  C07D295/14 ,  C07D307/14 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (8件)：

C07C229/12 ,  C07C229/16 ,  C07D295/14 Z ,  C07D307/14 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (20件)：

2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4C037CA10 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB92 ,  4H006BT12 ,  4H006BU32

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ジフルオロスタトン抗ウイルス剤
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-505010   出願人：メリル・フアーマシユウテイカルズ・インコーポレイテツド
• 感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-148742   出願人：日本合成ゴム株式会社
• レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-139097   出願人：富士写真フイルム株式会社