特許
J-GLOBAL ID：200903072557192529

半導体装置及びその製造方法

発明者：
大音 光市

大音 光市 について

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宇佐美 達矢

宇佐美 達矢 について

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森田 昇

森田 昇 について

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大西 貞之

大西 貞之 について

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有田 幸司

有田 幸司 について

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北尾 良平

北尾 良平 について

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佐々木 洋一

佐々木 洋一 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 徳丸 達雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-018079
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253790
出願日： 2004年01月27日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】 Cu配線の低誘電率の層間絶縁膜について、層間絶縁間の密着性が向上した半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板上に形成された下地絶縁膜上に、下層から金属拡散防止絶縁膜、第1のSiOCH膜、前記第1のSiOCH膜よりも膜中のC濃度とH濃度が低くO濃度が高いことを特徴とする第2のSiOCH膜、SiO2膜の4層構造を有する配線層間絶縁膜層を形成しCu配線を形成する。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、下層から第1のSiOCH膜、前記第1のSiOCH膜よりも膜中のC濃度とH濃度が低くO濃度が高い第2のSiOCH膜、SiO2膜の構造の層間絶縁膜層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L21/768 ,  H01L21/3205
FI (2件)：
H01L21/90 M ,  H01L21/88 M
Fターム (52件)：
5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK18 ,  5F033KK21 ,  5F033KK27 ,  5F033KK30 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ85 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033SS01 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033WW04 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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