特許

J-GLOBAL ID：200903072562388849

半導体シリコンウェーハ並びにその製造方法と熱処理装置

発明者： 足立 尚志 ,  佐野 正和 ,  定光 信介 ,  久保田 剛志
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-100052
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260677
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 CZ法により成長させたシリコン単結晶ウェーハ表面のCOP及び表層数μm深さのCOP源であり、八面体ボイドからなるGrown-in欠陥を効果的に消滅させたシリコン単結晶ウェーハとその製造方法の提供。【解決手段】 水素及び/又は不活性ガス雰囲気下の熱処理で、表面近傍の酸素を外方拡散させて、酸素の未飽和領域を形成して表面近傍の八面体ボイドの内壁酸化膜を除去した後、酸素または酸素と不活性ガスの混合ガス雰囲気での酸化熱処理を行い強制的に格子間シリコン原子を注入し、表面近傍の八面体ボイドを完全に消減させ、同時にウェーハ内部にIG層を形成する。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶ウェーハであり、水素及び/または不活性ガス雰囲気下で熱処理され、さらに酸化雰囲気下で熱処理され格子間シリコンがウェーハ表面から強制的に注入されて表面から所要深さまでのCOP(Crystal Originated Particle)及びGrown-in欠陥が完全に消滅した半導体シリコンウェーハ。

IPC (6件)：

H01L 21/02 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (6件)：

H01L 21/02 B ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 21/324 X ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/316 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• SOI基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-066027   出願人：住友シチックス株式会社
• 特開昭57-201032