特許
J-GLOBAL ID：200903072593587351
半導体光電子導波路
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-332542
公開番号（公開出願番号）：特開2005-099387
出願日： 2003年09月24日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】 光変調器の安定動作を可能とするnin型へテロ構造を有する半導体光電子導波路を提供すること。【解決手段】 動作光波長で電気光学効果が有効に作用しかつ光吸収が問題とならないように構造決定されているコア層11の上面と下面には、光吸収で発生したキャリアがヘテロ界面でトラップされないようにするために、コア層11のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する中間クラッド層(12-1および12-2)が設けられており、中間クラッド層12-1の上面および中間クラッド層12-2の下面の各々には、これらの中間クラッド層よりも大きなバンドギャップを有するクラッド層13-1および13-2が設けられている。クラッド層13-1の上面には、p型層15とn型層16とが順次積層されており、動作状態で使用する印加電圧範囲において、p型層15の全領域とn型層16の一部領域または全領域とが空乏化される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電気光学効果を奏する半導体コア層の一方主面と他方主面の各々の面上に、第1の半導体クラッド層と、第2の半導体クラッド層と、n型電極層として機能する第3の半導体クラッド層と、が順次積層されており、
前記第1の半導体クラッド層のバンドギャップは前記半導体コア層のバンドギャップよりも大きく、
前記第2の半導体クラッド層および前記第3の半導体クラッド層のバンドギャップの各々は前記第1の半導体クラッド層のバンドギャップよりも大きく、
前記半導体コア層の一方主面上または他方主面上に積層された前記第2の半導体クラッド層と前記第3の半導体クラッド層の間の何れかに、前記第2の半導体クラッド層側がp型であり前記第3の半導体クラッド層側がn型であるpn接合層が設けられていることを特徴とする半導体光電子導波路。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA04
, 2H079DA16
, 2H079EA07
, 2H079EA08
, 2H079EB04
, 2H079HA12
