特許
J-GLOBAL ID：200903072594663680
ラジカルの制御方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-241487
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094130
出願日： 1993年09月28日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ラジカルの密度および組成を高精度に制御する方法および制御装置に関するものであり、薄膜電子デバイスの製造および新素材の創製、開発プロセスに用いられる方法および装置を提供するにある。本発明を利用できる分野は、プラズマを用いたCVD、ドライエッチング装置およびラジカルビーム、ラジカルCVD・エッチング装置等である。【構成】 高周波、直流又はマイクロ波あるいは電子ビームを印加して形成されるプラズマにおいて、上記高周波、直流又はマイクロ波あるいは電子ビーム電力を一定の周期にて、パルス変調し、該パルス変調のデュティー比を変化させることにより反応性ガスを分解し、反応性ガスの分解から生じるラジカルの密度および組成を制御することを特徴とするラジカルの制御方法および装置。
請求項（抜粋）：
高周波、直流又はマイクロ波あるいは電子ビームを印加して形成されるプラズマにおいて、上記高周波、直流又はマイクロ波あるいは電子ビーム電力を一定の周期にて、パルス変調し、該パルス変調のデュティー比を変化させることにより反応性ガスを分解し、反応性ガスの分解から生じるラジカルの密度および組成を制御することを特徴とするラジカルの制御方法。
IPC (4件)：
H01J 37/08
, H01J 27/14
, H01J 27/18
, H01J 27/20
