特許
J-GLOBAL ID：200903072627981895
有機電界発光素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-013170
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286057
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 成膜防止層におけるチャージアップを解消することにより、成膜防止層のチャージアップによる異常放電や異常スパッタを防止し、欠陥の少ない高性有機電界発光素子を歩留り良く提供する。【解決手段】 基板1上に、第1の電極膜2と、成膜防止層3a,3bとが形成され、第1の電極膜2上の成膜防止層3a,3b非形成面に有機発光層4及び第2の電極膜5が順次積層形成された有機電界発光素子。成膜防止層3a,3bは、比抵抗1×1012〜1×104Ω・cmの電気的半導電性である。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に形成された第1の電極膜と、該第1の電極膜上に部分的に形成された成膜防止層と、該第1の電極膜上の該成膜防止層非形成面に順次積層形成された有機発光層及び第2の電極膜とを有する有機電界発光素子において、該成膜防止層の比抵抗が1×1012〜1×104Ω・cmであることを特徴とする有機電界発光素子。
IPC (4件)：
H05B 33/22
, H05B 33/10
, H05B 33/12
, H05B 33/14
H05B 33/22 Z
, H05B 33/10
, H05B 33/12 B
, H05B 33/14 A
