特許

J-GLOBAL ID：200903072683192275

半導体チップの処理方法

発明者： 荒井 一尚 ,  永井 祐介
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-012374
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228218
出願日： 2003年01月21日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：

【課題】半導体チップの裏面の周縁辺に生じた欠けを効率良く除去し、抗折強度を向上することができる半導体チップの処理方法を提供する。【解決手段】表面に複数のストリート111が格子状に形成されているとともに該複数のストリート111によって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを、該ストリート111に沿って分割して形成した半導体チップ100の処理方法であって、該半導体チップ100の裏面の周縁辺にレーザー光線を照射して面取りを施す。【選択図】 図10

請求項（抜粋）：

表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを、該ストリートに沿って分割して形成した半導体チップの処理方法であって、 該半導体チップの裏面の周縁辺にレーザー光線を照射して面取りを施す、ことを特徴とする半導体チップの処理方法。

IPC (2件)：

H01L21/301 ,  B23K26/00

FI (2件)：

H01L21/78 P ,  B23K26/00 H

Fターム (7件)：

4E068AA03 ,  4E068AH01 ,  4E068CC01 ,  4E068CE04 ,  4E068CE09 ,  4E068CF04 ,  4E068DA10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-322812   出願人：富士通株式会社