特許
J-GLOBAL ID:200903072708737808

絶縁ベールを備えた磁気素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 桑垣 衛
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-581295
公開番号(公開出願番号):特表2003-534647
出願日: 2001年04月20日
公開日(公表日): 2003年11月18日
要約:
【要約】改良された新規デバイスおよび磁気素子の製造方法に関する。より詳細には磁気素子(10)は第1の電極(14)と、第2の電極(18)と、スペーサ層(16)とを有する。第1の電極(14)と第2の電極(18)は磁性層(26,28)を有する。スペーサ層(16)は第1の電極(14)の磁性層(26)と第2の電極(16)の磁性層(28)との間に設けられ、磁性層(26,28)に対し略垂直方向のトンネル電流が生じる。デバイスは第1の電極(14)と第2の電極(18)とを電気的に絶縁することを特徴する絶縁ベール(34)を有する。絶縁ベール(34)は非磁性特性及び絶縁誘電特性を有する。さらに、酸素プラズマ灰化技術により導電特性から絶縁特性を有するように変換された絶縁ベール(34)を備える磁気素子(10)の製造方法を開示する。
請求項(抜粋):
強磁性層を有した第1の電極と、 前記第1の電極から離間して設けられ、強磁性層を有した第2の電極と、 前記第1の電極の強磁性層と前記第2の電極の強磁性層との間に設けられたスペーサ層と、 磁気素子を画定する絶縁ベールと、同絶縁ベールは前記第1の電極と前記第2の電極とを電気的に絶縁することを特徴とすることとからなる磁気素子。
IPC (4件):
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105
FI (5件):
H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 H ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 447
Fターム (14件):
5D034BA03 ,  5D034DA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA06 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR03 ,  5F083PR04 ,  5F083PR25
引用特許:
審査官引用 (2件)

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