半導体ウエハの切断方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-315917
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134893
出願日： 1995年11月08日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハをチッピングを発生させずに切断すること。【解決手段】台座ガラス1上にダイヤフラム部2bを有したn型のシリコンウエハ2が形成され、ダイヤフラム部2b上にはゲージ3、Al電極5、シリコン酸化膜4などから成る矩形状のセンシングパターン7が複数個格子状に形成されている。各センシングパターン7の周囲には幅約20μm以上の絶縁膜6が各センシングパターン7と約10μm以上の間隔をおいて形成されている((a)図)。隣接する絶縁膜6間の間隔は、ダイサ11にてシリコンウエハ2を切断する際に、ブレード12が絶縁膜6に接触しないように、ブレード幅12aより大きく形成され((b)図)、半導体圧力センサウエハ10が構成されている。

請求項（抜粋）：

基板上に、該基板の硬度より小さい硬度を有する半導体部材が形成された半導体ウエハを切削歯により同時に切断する方法であって、前記半導体部材の面上に切削線に沿ってその両側に連続した絶縁膜を、その間隔が前記切削歯の歯幅より大きく形成する工程と、前記切削歯を用いて前記切断線に沿って前記半導体部材側から前記半導体ウエハを切断する工程とを備えたことを特徴とする半導体ウエハの切断方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 , H01L 29/84

FI (2件)：

H01L 21/78 L , H01L 29/84 B

引用特許：

出願人引用 (5件)

圧力センサの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-058932 出願人：秩父セメント株式会社
特開昭60-216565
特開昭57-172750

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審査官引用 (2件)

圧力センサの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-058932 出願人：秩父セメント株式会社
特開昭60-216565

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