半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-339866
公開番号（公開出願番号）：特開2008-153432
出願日： 2006年12月18日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：

【課題】半導体装置の信頼性を向上させるとともに、半導体装置の製造コストを低減させる。【解決手段】リードフレーム21のダイフレーム部26の上面26aに、上面26a側から突起形成用ツールを用いて突起部15を形成した後、ダイフレーム部26の上面26a上に半導体チップ2を半田ペーストを介して搭載し、半導体チップ2のゲートパッド電極およびソースパッド電極2s上に半田ペーストを介してゲート用クリップおよびソース用クリップ3sを配置する。半田リフローにより、半導体チップ2の裏面ドレイン電極2dはダイフレーム部26の上面26aと半田11を介して接合される。突起部15も設けたことにより、半導体チップ2の裏面2bとダイフレーム部26の上面26aの間の半田層11aの厚みを厚くすることができる。【選択図】図23

請求項（抜粋）：

半導体チップと、前記半導体チップを半田を介して搭載する第1導体部と、前記半導体チップと、前記第1導体部の少なくとも一部とを封止する封止樹脂部とを有する半導体装置であって、前記第1導体部の前記半導体チップを搭載する側の第1主面に突起部が形成されており、前記突起部が形成された前記第1主面上に前記半田を介して前記半導体チップが搭載されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/52 , H01L 23/48

FI (2件)：

H01L21/52 A , H01L23/48 G

Fターム (6件)：

5F047AA03 , 5F047AA11 , 5F047AB06 , 5F047BA01 , 5F047BB11 , 5F047BB18

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-047859 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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