半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-328663
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008300
出願日： 1995年12月18日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【課題】製造時間の短縮化及びオン電圧の低減を図る。【解決手段】低抵抗n型半導体層1上にn型半導体層2が配設される。低抵抗n型半導体層1にはドレイン電極がオーミック接触する。n型半導体層2にはソース電極4がショットキー接合する。ソース電極4に隣接してn型半導体層2上にゲート絶縁膜5を介してゲート電極が配設される。ゲート電極6に電圧を印加し、ソース電極4とn型半導体層2との界面のショットキーバリアを低くすると、ソース電極4からn型半導体層2に電子が注入され、素子内に電流が流れる。n型半導体層2には、製造時間の短縮化の妨げとなる拡散層を形成する必要がなくなり、また、オン電圧の上昇の原因となるチャネルは存在しなくなる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層にショットキー接合する第1主電極と、前記第1半導体層に接続された第2主電極と、前記ショットキー接合のショットキーバリアの高さを制御するための制御手段と、を具備し、前記第1及び第2主電極間に電圧を印加した状態で前記ショットキーバリアの高さを低くするとオンし、オン状態において前記第1半導体層を通して第1及び第2主電極間に電流が流れることを特徴とする半導体装置。

FI (4件)：

H01L 29/78 652 E , H01L 29/78 652 B , H01L 29/78 652 M , H01L 29/78 654 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-193934 出願人：新電元工業株式会社
特開平2-007571
特開昭62-274775

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