特許
J-GLOBAL ID：200903072720806114

電圧発生回路

発明者：
竹内 健

竹内 健 について

, 
田中 智晴

田中 智晴 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-207794
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035177
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 フラッシュメモリにおいて温度変化によるメモリセルのしきい値分布が広がるのを抑制できる電圧発生回路を提供することを目的としている。【解決手段】 電圧発生回路は、温度に依存しない一定の電流を生成する電流源1,2、温度に比例する電流を生成する電流源3,4、MOSトランジスタPA1,PA2,NA1,NA2及び抵抗Routを含んで構成されている。上記各MOSトランジスタのゲートにイネーブル信号EN1b,EN2,EN3b,EN4を供給して各電流源を選択的に用い、温度特性を正・負両方共に様々に調整することを特徴としている。この電圧発生回路でリード時やベリファイリード時の制御ゲート電圧を生成することにより、様々な読み出し時間に対して常にメモリセル電流の温度による変化を無くすことができる。また、読み出し電流の温度依存性を無くすことにより、しきい値分布幅を狭めることができる。
請求項（抜粋）：
出力端子として働く第1の端子と、前記第1の端子に接続され、実質的に温度に依存しない第1の一定電流を前記第1の端子に供給あるいは前記第1の端子から放電する第1の一定電流源と、前記第1の端子に接続され、温度に依存する第1の温度依存電流を前記第1の端子に供給あるいは前記第1の端子から放電する第1の温度依存電流源と、前記第1の端子に接続された第1の電流/電圧変換器とを具備することを特徴とする電圧発生回路。
IPC (8件)：
G11C 16/06 ,  G05F 1/10 ,  G05F 1/56 320 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6件)：
G11C 17/00 632 C ,  G05F 1/10 Q ,  G05F 1/56 320 U ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
Fターム (54件)：
5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD09 ,  5B025AE08 ,  5F001AA25 ,  5F001AB08 ,  5F001AC02 ,  5F001AD41 ,  5F001AD51 ,  5F001AD52 ,  5F001AD53 ,  5F001AE02 ,  5F001AE08 ,  5F001AE20 ,  5F001AF10 ,  5F001AF20 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP76 ,  5F083ER03 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER19 ,  5F083ER23 ,  5F083GA11 ,  5F083KA05 ,  5F083LA10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083ZA21 ,  5H410BB04 ,  5H410CC02 ,  5H410DD02 ,  5H410EA11 ,  5H410EB16 ,  5H410EB37 ,  5H410FF03 ,  5H410FF25 ,  5H410GG00 ,  5H430BB01 ,  5H430BB03 ,  5H430BB05 ,  5H430BB09 ,  5H430BB11 ,  5H430EE06 ,  5H430FF01 ,  5H430FF02 ,  5H430FF13 ,  5H430GG04 ,  5H430GG11 ,  5H430HH03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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