シリコンウエハの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木下茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-263417
公開番号（公開出願番号）：特開2007-080914
出願日： 2005年09月12日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：

【課題】ウエハの生産性や生産コストを損なうことなく、デバイスが形成されるウエハ表層部に欠陥が存在しないシリコンウエハの製造方法を提供する。【解決手段】チョクラルスキー単結晶引上法によりシリコン単結晶のインゴットを育成し、このシリコン単結晶インゴットをスライスしてウエハを作製した後、前記ウエハの表層をレーザースパイクアニール装置により、ウエハ表層部の温度が1250°C以上1400°C以下で、0.01マイクロ秒以上10秒未満、アニールする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー単結晶引上法によりシリコン単結晶のインゴットを育成し、このシリコン単結晶のインゴットをスライスしてウエハを作製した後、前記ウエハの表層をレーザースパイクアニール装置により、ウエハ表層部の温度が1250°C以上1400°C以下で、0.01マイクロ秒以上0.8秒以下、アニールすることを特徴とするシリコンウエハの製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/268

FI (1件)：

H01L21/268 F

引用特許：

出願人引用 (4件)

特許第3346249号公報
特許第3410828号公報
シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-353514 出願人：信越半導体株式会社

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審査官引用 (1件)

特開昭57-136334

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