特許
J-GLOBAL ID：200903074601519290
シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-353514
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123241
出願日： 2003年10月14日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】シリコンウエーハを製造する際に、ウエーハ表層部に存在するボイド型欠陥を効率的にかつ効果的に消滅させることができ、酸化膜耐圧特性を改善したウエーハを高い生産性で製造できるシリコンウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】チョクラルスキー法によりシリコン単結晶棒を育成し、該育成した単結晶棒をスライスしてシリコンウエーハを作製した後、該シリコンウエーハに急速加熱・急速冷却熱処理を行うシリコンウエーハの製造方法において、前記急速加熱・急速冷却熱処理を行う前に、シリコンウエーハにHF処理によりウエーハ表層部に存在するボイド型欠陥の内壁酸化膜を除去する内壁酸化膜除去工程を行い、その後、該シリコンウエーハに還元性雰囲気下、1150°Cより高くシリコンの融点未満の熱処理温度で急速加熱・急速冷却熱処理を行ってウエーハ表層部のボイド型欠陥を消滅させることを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によりシリコン単結晶棒を育成し、該育成した単結晶棒をスライスしてシリコンウエーハを作製した後、該シリコンウエーハに急速加熱・急速冷却熱処理を行うシリコンウエーハの製造方法において、前記急速加熱・急速冷却熱処理を行う前に、シリコンウエーハにHF処理によりウエーハ表層部に存在するボイド型欠陥の内壁酸化膜を除去する内壁酸化膜除去工程を行い、その後、該シリコンウエーハに還元性雰囲気下、1150°Cより高くシリコンの融点未満の熱処理温度で急速加熱・急速冷却熱処理を行ってウエーハ表層部のボイド型欠陥を消滅させることを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/324 X
, H01L21/322 Y
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
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