半導体基板および半導体基板の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-169588
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037286
出願日： 1994年07月21日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】ゲッタリング能力に優れ、サーマルドナーや結晶欠陥が無い半導体基板、および、このような半導体基板を複雑な工程の追加やドーパント不純物濃度の低下を伴うことなく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。【構成】支持基板11として比抵抗が0.1Ω・cm以下となるようにボロンを導入した高濃度P型基板を使用する。また、製造工程として、支持基板11を還元性雰囲気での熱処理を1100°C以上で30分以上行う第1熱処理工程と、この第1熱処理工程後の支持基板11に一方の表面に酸化膜12を形成した高濃度P型シリコン基板を支持基板11と酸化膜12とが接するように接着する接着工程と、この接着工程後の支持基板11、酸化膜12およびシリコン基板の熱処理を 950°C以上で10分以上行う第2熱処理工程と、この第2熱処理工程後のシリコン基板を薄膜化する薄膜化工程とを備える。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコンからなる支持基板と、この支持基板上に形成された酸化膜と、この酸化膜上に形成されたP型、N型またはI型の単結晶シリコンからなる薄膜とを有する半導体基板において、前記支持基板は、比抵抗が0.1Ω・cm以下となるようにボロンを導入した高濃度P型基板であることを特徴とする半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 27/12 , H01L 21/322

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-090147
特開昭63-102240
特開平2-046770

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