特許
J-GLOBAL ID：200903072740266230
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中澤 昭彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-212373
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056097
出願日： 1996年08月12日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】プリント基板の裏面及び放熱孔からの水分の浸入を防止し、耐湿性の優れた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】表面に半導体素子1を搭載する基板2と、その基板2に設けられ、半導体素子1と電気的に接続される導電配線6と、基板2の裏面に格子状に配置され、導電配線6と電気的に接続される半田ボール9と、基板2の半導体素子搭載部分の下部に形成される放熱孔7と、基板2の表面を封止する封止樹脂部5と、放熱孔7が形成される位置に対応する基板2の裏面部分に被覆されるコート樹脂部8とを有し、基板2の裏面及び放熱孔7からの水分の浸入を防止することができ、半導体装置の吸湿量を低減することができる。
請求項（抜粋）：
表面に半導体素子を搭載し、半導体素子搭載部分の下部に放熱孔が形成される基板と、その基板に設けられ、前記半導体素子と電気的に接続される導電配線と、前記基板の裏面に格子状に配置され、前記導電配線と電気的に接続される外部接続端子と、前記基板の表面に封止される封止樹脂部と、前記放熱孔が形成される位置に対応する前記基板の裏面部分に被覆されるコート樹脂部と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 23/12 L
, H01L 21/56 T
, H01L 23/12 J
