特許

J-GLOBAL ID：200903072751201547

成膜方法及び成膜装置

発明者： 高宮 三郎 ,  飯山 宏一
出願人/特許権者： 金沢大学長
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-032416
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247332
出願日： 2003年02月10日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】特性や信頼性に優れたMIS構造を得ることが可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。【解決手段】チャンバ1内に少なくとも主表面に半導体領域を有する半導体ウエハ3をセットする工程と、チャンバ1内にセットされた半導体ウエハ3の主表面にオゾン発生装置4からオゾン5を供給して半導体領域の表面を酸化する工程と、チャンバ1内にセットされた半導体ウエハ3の主表面に窒素プラズマ発生装置8から窒素ラジカル9を供給して半導体領域の表面を窒化する工程とを備えている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

真空容器内に少なくとも主表面に半導体領域を有する基板をセットする工程と、 前記真空容器内にセットされた基板の主表面にオゾンを供給して前記半導体領域の表面を酸化する工程と、 前記真空容器内にセットされた基板の主表面に窒素ラジカルを供給して前記半導体領域の表面を窒化する工程と、 を備えたことを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

H01L21/318 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

FI (3件)：

H01L21/318 C ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

Fターム (8件)：

4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030FA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BF74 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコン酸化窒化膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-186543   出願人：株式会社東芝
• 特開昭62-141727