特許

J-GLOBAL ID：200903089261734571

シリコン酸化窒化膜の形成方法

発明者： 佐竹 秀喜 ,  奈良 明子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186543
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015507
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 窒素の濃度と分布を精密に制御したシリコン酸化窒化膜の形成方法およびそれを利用した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 窒素分子を励起した窒素ラジカルを含むガス中にシリコン酸化膜を晒し、膜中に窒素を導入する。窒素ラジカルを用いたシリコンの窒化反応は、ラジカル濃度の観点からみると熱的非平衡状態を利用する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板表面を酸化してシリコン酸化膜を形成する工程、前記シリコン酸化膜をシリコン酸化窒化膜にする工程からなるシリコン酸化窒化膜の形成方法において、前記シリコン酸化膜をシリコン酸化窒化膜にする工程は、窒素を含む分子の一部を活性化したガス雰囲気に前記シリコン酸化膜を晒す工程であり、かつ、前記シリコン酸化窒化膜中の窒素が、シリコン酸化窒化膜中の両界面近傍に偏在するか、または表面近傍のみに存在し、シリコン酸化窒化膜の膜厚方向中央部には存在しないシリコン酸化窒化膜であることを特徴とするシリコン酸化窒化膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 21/318 A ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/316 X ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (79件)：

5F040DA06 ,  5F040DC01 ,  5F040ED03 ,  5F040ED06 ,  5F040FC00 ,  5F045AA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AA20 ,  5F045AB03 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AF01 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045AF08 ,  5F045CA05 ,  5F045CB10 ,  5F045DC51 ,  5F045DC55 ,  5F045DC56 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB19 ,  5F045HA16 ,  5F045HA17 ,  5F045HA22 ,  5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF25 ,  5F058BF30 ,  5F058BF46 ,  5F058BF51 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF56 ,  5F058BF59 ,  5F058BF60 ,  5F058BF61 ,  5F058BF63 ,  5F058BF72 ,  5F058BF74 ,  5F058BG03 ,  5F058BH01 ,  5F058BH02 ,  5F058BH04 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01