特許

J-GLOBAL ID：200903072751677401

素子試験装置及び素子試験方法

発明者： 吉村 弘幸
出願人/特許権者： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-303498
公開番号（公開出願番号）：特開2009-128188
出願日： 2007年11月22日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：

【課題】半導体装置の高生産または低コスト化を実現させる。【解決手段】素子試験装置1は、支持台11と、支持台11上に載置され、半導体素子20のコレクタ電極に接触する金属箔21cと、半導体素子20のエミッタ電極上に配置させた金属箔21eと、金属箔21eに接触させる、少なくとも一つの接触子と、半導体素子20のゲート電極に導通させる、少なくとも一つの接触子と、を有する。このような素子試験装置1を用いれば、半導体素子20が破損しても、微小な破壊片等が金属箔21cまたは金属箔21eに付着する、これにより、半導体装置の高生産または低コスト化が実現する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子の電気的特性を評価する素子試験装置において、 支持台と、 前記支持台上に載置され、前記半導体素子の第1の主電極に接触する第1の金属箔と、 前記半導体素子の第2の主電極上に配置する第2の金属箔と、 前記第2の主電極上に配置した前記第2の金属箔に接触する、少なくとも一つの第1の接触子と、 前記半導体素子の制御用電極に接触する、少なくとも一つの第2の接触子と、 を有することを特徴とする素子試験装置。

IPC (1件)：

G01R 31/26

FI (1件)：

G01R31/26 J

Fターム (11件)：

2G003AA01 ,  2G003AB01 ,  2G003AB09 ,  2G003AE09 ,  2G003AG03 ,  2G003AG08 ,  2G003AG12 ,  2G003AG20 ,  2G003AH05 ,  2G003AH07 ,  2G003AH08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体素子の試験装置および試験方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-164016   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社