特許

J-GLOBAL ID：200903072754980067

SOI素子の基板構造及びその製造方法

発明者： 金 永 薫
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (1件)： 笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-013325
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111009
出願日： 2001年01月22日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 SOI素子から頻繁に発生するフローティングボディー効果を抑制し得るSOI素子の基板構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコンバルク基板201、埋込絶縁膜202、半導体本体層203が順次形成されたSOI基板200と、前記埋込絶縁膜202及び前記半導体本体層203を選択的に食刻して形成したトレンチ204と、該トレンチ204の内部に形成された半導体性側壁スペーサ205と、前記トレンチ204の内部に充填される素子隔離用絶縁膜208と、を包含してSOI素子の基板構造を製造する。

請求項（抜粋）：

半導体基板、該半導体基板の上面に形成された埋込絶縁膜及び該埋込絶縁膜の上面に形成された半導体本体層を有するSOI基板と、前記半導体基板の上面が露出されるように、前記埋込絶縁膜及び前記半導体本体層を選択的に食刻して形成される各トレンチと、前記トレンチの内部の前記半導体本体層及び前記埋込絶縁膜の側壁に、前記半導体基板の上面に接するように形成される半導体性側壁スペーサと、前記トレンチの内部に充填される素子隔離用絶縁膜と、を包含して構成されることを特徴とするSOI素子の基板構造。

FI (2件)：

H01L 29/78 626 B ,  H01L 29/78 626 C

Fターム (7件)：

5F110AA15 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110GG02 ,  5F110GG60

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-357561   出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド