特許

J-GLOBAL ID：200903072765953657

バンプ検査装置

発明者： 布施 貴史 ,  塚原 博之 ,  大嶋 美隆 ,  西山 陽二 ,  高橋 文之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 平戸 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-239618
公開番号（公開出願番号）：特開平10-089927
出願日： 1996年09月11日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】半導体チップに形成されたI/Oピンをなすバンプの高さ及び径を検査するバンプ検査装置に関し、バンプの高さ及び径の測定を1系統の光学系を介して行い、構成を簡略化する。【解決手段】レーザ光27を分岐してなるレーザ光53、54をバンプ形成面41及びバンプ42に斜め情報から照射し、レーザ光53の反射光を検出することにより三角測量の原理でバンプ42の高さHを測定すると共に、縦横方向に伸びるバンプ42の影49、影51を利用してバンプ配列の縦方向の径DA、DBを測定する。

請求項（抜粋）：

レーザ光を半導体チップに形成されたバンプ及びバンプ形成面に斜め上方から照射するレーザ光照射手段と、前記バンプ形成面の法線方向を対称軸方向として、前記レーザ光の照射元である斜め上方と対称関係にある斜め上方側への反射光を利用して三角測量により前記バンプの高さを測定すると共に、前記バンプ形成面に生じる前記バンプの影を利用して前記バンプの径を測定するバンプ高・バンプ径測定手段と、このバンプ高・バンプ径測定手段により測定される前記バンプの高さ及び径から前記バンプの寸法が正常であるか否かを検査するバンプ寸法検査手段とを備えていることを特徴とするバンプ検査装置。

IPC (6件)：

G01B 11/02 ,  G01B 11/08 ,  G06T 7/00 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/321

FI (6件)：

G01B 11/02 Z ,  G01B 11/08 Z ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/66 J ,  G06F 15/62 405 A ,  H01L 21/92 604 T

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭52-128170
  
• 高さ検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-002504   出願人：富士通株式会社
• 立体電極外観検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-037015   出願人：富士通株式会社
• 特開平2-081449
  

審査官引用 (2件)

• 立体電極外観検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-037015   出願人：富士通株式会社
• 特開平2-081449