特許

J-GLOBAL ID：200903072770194705

半導体ウェーハのエッチング方法およびその装置ならびにラック

発明者： 猪垣 誠 ,  森元 昌弘 ,  小西 央員 ,  高石 和成
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-254640
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074082
出願日： 1995年09月05日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウェーハ表裏面での面内のエッチングムラをなくす。各シリコンウェーハ表面の平坦度のバラツキを小さく抑える。【解決手段】 ラック12にシリコンウェーハwfを複数枚並べて収容して保持する。ラック12をエッチング槽11中に浸漬する。ローラ軸15、16、17およびカム軸32を所定速度で回転させる。各シリコンウェーハwfはローラ軸によってその軸線回りに回転させられながら、カム軸32のカム面によって上下に揺すられる。シリコンウェーハwfの表裏面にはエッチング液がまんべんなく接触し、撹乱される。エッチング液によりシリコンウェーハ表裏面はローラ軸の保持片部分(円周側部分)でもその中央部分でも同様に、全面が均一にエッチング液にさらされ、接触する。

請求項（抜粋）：

エッチング液中に浸した半導体ウェーハを回転させてエッチングする半導体ウェーハのエッチング方法において、この半導体ウェーハを回転させながら、同時にその回転軸に対して垂直な平面内で直線的に移動させる半導体ウェーハのエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  B44C 1/22 ,  H01L 21/304 341

FI (3件)：

H01L 21/306 J ,  B44C 1/22 ,  H01L 21/304 341 T

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 洗浄・エッチング用ウェハ保持具
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-169252   出願人：新日本製鐵株式会社