特許
J-GLOBAL ID：200903072773325959

電子素子およびそれを用いた記録方法

発明者：
谷川 明男

谷川 明男 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-078772
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267513
出願日： 2000年03月21日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】低コスト化かつ大容量記憶が可能な新規な電子素子を提供する。【解決手段】絶縁性基板上に設けられた2種以上の元素を含む電導性合金の記憶コア101と、その両端に直接接合された電極A102および電極B103と、電流を流すことによりエレクトロマイグレイションを生じ、その少なくとも一部の形状あるいはその少なくとも一部の元素組成比が変化する物質からなる記憶コア101と、電極A102に近い位置に絶縁性薄膜によって隔てられて設けられたセンス電極104によって電子素子(記憶素子)を構成した。電流を流して電極A102または電極B103に拡散種の濃度が高い状態を形成することで、記録の書き込みができ、また、拡散種の移動にともなうセンス電極104からの電荷の移動を検出する方法を用いることにより記録の読み出しができる。
請求項（抜粋）：
電流を流すことによりエレクトロマイグレイションを生じ、その少なくとも一部の形状あるいはその少なくとも一部の元素組成比が変化する物質を記憶コアとして用いたことを特徴する電子素子。
Fターム (9件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA09 ,  5F083JA33 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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